Dekri teren

Voye rechèch

Seramik baz PCB se yon kalite espesyal tablo sikwi enprime ki itilize materyèl seramik kòm baz epi yo kouvwi ak yon kouch metal kondiktif (anjeneral kwiv oswa aliminyòm) sou sifas la. Yo sitou itilize pou sipòte konpozan elektwonik gwo-pouvwa ak gwo-frekans. Lè yo konbine ekselan konduktiviti tèmik, izolasyon elektrik, ak segondè -rezistans tanperati seramik yo ak bon konduktiviti elektrik kouch metal la, substrats seramik yo te vin konpozan debaz nan ekipman elektwonik segondè -tankou nouvo machin enèji, varyateur fotovoltaik, estasyon baz 5G, ak gwo -modil semi-conducteurs pouvwa.
Kalite substrats seramik yo ka klase nan de pèspektiv prensipal: materyèl ak pwosesis fabrikasyon.

Deziyatè	Kòd	Nimewo Pati	Manifakti	Kantite
C1, C4, C20, C182, C191	NP0-0402-50 V-100 pF±5 %			5	250	500
C2, C92, C99, C100, C101, C102, C103, C104	X5R-0402-50 V-220 nF+-10 %			8	400
C3, C6, C7, C8, C11, C24, C25, C26, C27, C28, C30, C31, C34, C37, C47, C51, C52, C53, C54, C55, C68, C69, C70, C71, C79, C80, C84, C93, C94, C95, C96, C97, C98, C107, C108, C110, C112, C114, C115, C123, C124, C127, C130, C135, C138, C140, C142, C145, C152, C153, C154, C155, C156, C157, C158, C159, C160, C161, C166, C168, C171, C173, C181, C184, C185, C186, C187, C188, C189, C190	X7R-0402-50 V-100 nF+-10 %			70	3500	7000
C5, C9, C10, C91	X7R-0402-50 V-1 nF+-10 %			4	200	400
C21, C22, C23	X7R-0402-25 V-1 µF+-10 %	GRM155R61E105KA12D		3	450	300
C29, C42	X7R-0402-50 V-220 pF+-10 %			2	300	800	200
C32, C33, C35, C36	X5R-0201-10 V-100 nF+-10%			4	200	400	-20%
C38, C39, C40, C41, C46, C56	X7R-0402-6,3 V-1 µF+-10 %			6	300	600
C43, C44, C45, C63	X5R-0805-6,3 V-47 µF±20 %			4	200	400
C48, C49, C50, C67	X5R-0603-10 V-22 µF+-10 %			4	200	400	-20%
C57, C58, C59, C167	NP0-0402-50 V-22 pF±5 %			4	200	400
C60, C61, C62, C64, C65, C66, C169, C170, C183	X5R-0603-6,3 V-22 µF±20 %			9	450	900
C72, C73, C74, C172, C175	X7R-0402-50 V-10 nF+-10 %			5	250	500
C75, C76, C77, C78	X7R-1206-50 V-10 µF+-10 %			4	200	400
C81, C90	X7R-0402-50 V-22 nF+-10 %			2	300	200
C82, C83, C163, C164, C178, C179	X6S-0402-16 V-1 µF+-10 %			6	300	600
C85	X5R-0402-6,3 V-4,7 µF+-20 %			1	150	100
C86	NP0-0603-50 V-47 pF+-5 %			1	150	100
C87, C88, C89	X7R-1210-10 V-47 µF+-10 %			3	150	300
C105, C106, C109, C111, C149, C150	NP0-0402-50 V-33 pF±5 %			6	300	600
C113, C116, C117, C118, C119, C120, C121, C122, C125, C126, C128, C129, C131, C132, C133, C134, C136, C137, C139, C141, C143, C144, C146, C162, C165, C180	X5R-0402-6,3 V-10 µF+-20 %			26	1300	2600
C147		10TPB220M	Panasonic	1	100
C148	X5R-1210-16 V-100 µF±20 %			1	50	100
C151	X7R-0805-16 V-2,2 µF+-10 %			1	150	100
C174	X7R-1210-50 V-4,7 µF+-10 %			1	50	100
C176, C177		EEFK1H470XP	Panasonic	2	200
C192	NP0-0402-50 V-220 pF+-5 %			1	150	100
DA1, DA2, DA3		SGM2576YN5G/TR	SGMicro	3	300
DA4, DA5, DA6, DA10		SY98003AQNC	Silèji	4	400
DA7, DA8		LD39050PUR	STMicroelectronics	2	200
DA9		MPQ4316GRE-AEC1	MPS	1	100
DA11		LM74800QDRRRQ1	Texas Instruments	1	100
DA12		SY8089AAC	Silèji	1	100
DA13		LP5907MFX-1.2/NOPB	Texas Instruments	1	100
DD1		2N7001TDPWR	Texas Instruments	1	100
DD2		FUSB302BMPX	Onsemi	1	100
DD3		MCP2542FDT-H/MF	Teknoloji Microchip	1	100
DD4		XS9922B	Chipup	1	100
DD6		MS1836S	Macrosilicon	1	100
DD7		PCA9617ADPJ	Nexperia	1	100
FB1, FB14		BLM18PG121SN1D	Murata	2	100	200
FB2, FB3		BLM18KG121TN1	Murata	2	100	200
FB4, FB5, FB6, FB7, FB8, FB9, FB10		BLM18EG601SN1D	Murata	7	350	700
FB11		FBMH1608HM101-T	Taiyo	1	50	100
L1		SPM5030T-4R7M-HZ	Vishay	1	50	100
L2		LQM2HPN2R2MGSL	Murata	1	50	100
MP1, MP2, MP3, MP4		9774020633R	NOU	4	400
MP5, MP6, MP7, MP8		9774050243R	NOU	4	400
R1, R3, R26, R126	0402-100 Ω+-1 %			4	200	400
R2, R4, R5, R6, R12, R13, R15, R46, R105, R146, R151, R153, R161, R168, R177, R178, R185, R186, R187, R188, R189, R190, R191, R192, R196, R197, R198, R199, R202, R205, R214, R215, R216, R217, R218, R219, R220, R221, R222, R223, R224	0402-0 Ω+-5 %			41	2050	4100
R7	0402-12 Ω+-1 %			1	150	100
R8, R16, R38, R50, R61, R70, R71, R109	0402-1 kΩ+-1 %			8	400	800
R9	0603-1 kΩ+-1 %			1	150	100
R10, R179, R180, R181	0603-1,5 kΩ+-1 %			4	200	400
R17, R36, R37, R47, R58, R62, R66, R72, R73, R83, R111, R112, R204, R227	0402-10 kΩ+-1 %			14	700	1400
R22, R24, R48, R85, R86, R88, R99, R106, R107, R121, R122, R125, R127, R128, R129, R130, R131	0402-100 kΩ+-1 %			17	850	1700
R25, R59, R90, R108, R123	0402-20 kΩ+-1%			5	250	500
R27, R28, R30, R31, R32, R33, R34, R35	0402-590 Ω+-1 %			8	400	800
R29	0402-27 kΩ+-1 %			1	150	100
R39, R40	0402-1,8 kΩ+-1 %			2	300	200
R41, R42, R43	0402-47 kΩ+-1 %			3	450	300
R44	0402-1,2 kΩ+-1 %			1	150	100
R45	0603-120 Ω+-5 %			1	150	100
R49	0402-8,2 kΩ+-1 %			1	150	100
R52, R94, R95, R113, R120	0603-0 Ω+-5 %			5	250	500
R56, R57	0603-5,1 kΩ+-1 %			2	300	200
R60, R63, R64, R65	0402-2,2 Ω+-1 %			4	200	400
R67, R82, R91, R124	0402-2,2 kΩ+-1%			4	200	400
R68, R69, R76, R77, R78, R79, R80, R81, R92, R93, R132	0402-100 kΩ+-5 %			11	550	1100
R74, R75, R84, R133, R138, R139, R140, R141, R149, R150, R167, R172, R174, R176, R183, R184, R193, R194, R195, R229, R230	0402-4,7 kΩ+-1 %			21	1050	2100
R87	0402-31,6 kΩ+-1 %			1	150	100
R89	0402-120 kΩ+-1 %			1	150	100
R96	0402-4,3 kΩ+-1 %			1	150	100
R97	0402-75 kΩ+-1 %			1	150	100
R98	0402-51 kΩ+-1 %			1	150	100
R100, R102	0402-39 kΩ+-1 %			2	300	200
R101	0402-15 kΩ+-1 %			1	150	100
R103	0402-30 kΩ+-1 %			1	150	100
R110	0402-330 Ω+-1 %			1	150	100
R115, R116	0603-1,8 kΩ+-1 %			2	300	200
R119, R147	0402-75 Ω+-1 %			2	300	200
R135, R136	0402-0 Ω+-1 %			2	300	200
R148	0402-10 Ω+-1 %			1	150	100
R152	0402-22 Ω+-1 %			1	150	100
R154	0402-1 MΩ+-1 %			1	150	100
R160	0402-4,02 kΩ+-1 %			1	150	100
R169, R170	0805-0,033 Ω+-1 %			2	300	200
R182	0402-1 kΩ+-5 %			1	150	100
SB1, SB2		B3U-3000P	Omron	2	200
VD1, VD17		ESD5Z2.5T1G	ON Semiconductor	2	200
VD2		SMBJ40CA-TR	STMicroelectronics	1	100
VD3, VD10, VD19		GNL-0603GC	G-ni	3	300
VD4, VD18		GNL-0603EC	G-ni	2	200
VD5, VD8		MBR0540	Hottech	2	200
VD6, VD7, VD12, VD13		ESD73034D	Teknoloji Piblik	4	400
VD9		SMF05C.TCT	Semtech	1	100
VD14, VD16, VD21		PRTR5V0U2AX,215	Nexperia	3	300
VD20		GNL-0603UYOC	G-ni	1	100
VT1, VT3, VT4, VT5, VT7		2N7002DW	Hottech	5	500
VT2, VT6		WNM6002-3/TR	Willsemi	2	200
VT8, VT9		WMQ30N06TS	Wayon	2
VT10		IRLML2502	UMW	1	100
XP1, XP2, XP3, XP4, XP7, XP12, XP13, XP14, XP15		SM03B-SRSS-TB	JST	9	900
XP5, XP11		SM04B-SRSS-TB	JST	2	200
XP6, XP10		SM05B-SRSS-TB	JST	2	200
XP8, XP9		SM06B-SRSS-TB	JST	2	200
XS2, XS3, XS4, XS5		AXK5F80547YG	Panasonic	4	400
XS6		10118241-001RLF	Amphenol	1	100
XS8, XS9		1054500101	Molex	2	200
XS11		1759503-1	TE Koneksyon	1	100
XS12		5034802400	Molex	1	100
XS13		245804030000829+	Kyocera AVX	1	100
ZQ1, ZQ2		X322527MOB4SI	YXC	2	200

Klasifikasyon pa materyèl seramik

Sa a se metòd klasifikasyon ki pi fondamantal, kòm diferan materyèl detèmine karakteristik pèfòmans kle nan substra a.

Alumina (Al₂O₃) substrats

Kounye a materyèl ki pi lajman itilize substrate seramik nan endistri elektwonik la. Yo ofri ekselan pèfòmans jeneral, segondè fòs mekanik, bon estabilite chimik, abondan matyè premyè, ak pri relativman ba. Yo lajman aplike nan mikwo-elektwonik, elektwonik pouvwa, ak mikwo-elektwonik ibrid.

Nitrure aliminyòm (AlN) substrats

Karakterize pa ekstrèmman wo konduktiviti tèmik (tipikman pi gwo pase oswa egal a 170 W/(m·K)) ak yon koyefisyan ekspansyon tèmik byen matche ak chips Silisyòm, ki fè yo yon chwa ideyal pou aplikasyon pou jesyon tèmik pèfòmans segondè -. Sepandan, yo mande pou pite materyèl trè wo ak kontwòl pwosesis strik.

Silisyòm nitrure (Si₃N₄) substrats

Malgre ke yo mansyone san eksplikasyon detaye nan materyèl sous la, yo jeneralman li te ye pou ekselan fòs mekanik yo ak rezistans chòk tèmik, ki fè yo apwopriye pou aplikasyon ki gen kondisyon segondè fyab.

Substra oksid Berilyòm (BeO).

Posede konduktiviti tèmik menm pi wo pase sa yo ki nan aliminyòm metalik, men aplikasyon yo se entèdi limite akòz toksisite nan materyèl la.

Klasifikasyon pa Pwosesis Faktori

Pwosesis fabrikasyon diferan detèmine estrikti, pèfòmans, ak pri nan substra a, epi yo se faktè kle nan distenge kalite pwodwi yo.

HTCC (Seramik ki te tire -Tanperati segondè)

Sintered nan tanperati ki wo nan 1300-1600 degre, lè l sèvi avèk gwo -fonn-metal tankou tengstèn ak molybdène kòm kondiktè. Pwosesis la se matirite, men pri a se relativman wo ak konduktiviti elektrik la nan kouch metal yo se relativman pòv.

LTCC (Ko-Tanperati ba Seramik)

Sintered nan 850-900 degre, sa ki pèmèt itilizasyon metal ak pi bon konduktiviti elektrik tankou ajan, lò ak kwiv. Li ka reyalize estrikti miltikouch konplèks epi li apwopriye pou gwo -frekans ak modil trè entegre.

DBC (Direct Bonded Copper)

Foil kwiv kole dirèkteman ak substrate seramik la atravè yon pwosesis eutektik tanperati ki wo. Li prezante rezistans tèmik ki ba, gwo kapasite kouran -pote, ak gwo fyab, sa ki fè li youn nan substrats seramik ki pi endikap pou aparèy ki gen gwo pouvwa jodi a.

DPC (Direct Plated Copper)

Sèvi ak teknoloji pwosesis fim mens-pou dirèkteman electroplate kwiv sou sifas substrate seramik la pou fòme modèl sikwi. Li pèmèt gwo presizyon ak lajè liy amann epi li te devlope rapidman nan dènye ane yo, vin tounen yon teknoloji lajman aplike.

LAM (Lazè aktive metalizasyon)

Sèvi ak teknoloji lazè pou fòme sikwi metal amann sou sifas seramik la, ki fè li apwopriye pou gwo -presizyon ak aparèy miniaturize.

Seramik baz PCB gen karakteristik prensipal sa yo:

Karakteristik

Segondè konduktiviti tèmik

Substra seramik yo gen relativman wo konduktiviti tèmik. Pou egzanp, konduktiviti tèmik nan yon substrate seramik alumina se 25-35 W / (m · K), pandan ke sa a nan yon substrate seramik nitrure aliminyòm ka rive nan 170-230 W / (m · K). Konduktivite tèmik segondè sa a bay substrats seramik ekselan pèfòmans dissipation chalè, fè yo patikilyèman apwopriye pou aparèy elektwonik gwo -pouvwa.

Segondè fòs mekanik ak estabilite

Substra seramik gen gwo fòs ak dite epi yo ka kenbe estabilite nan anviwònman piman bouk. Koyefisyan ekspansyon tèmik yo se tou pre silisyòm, ki senplifye pwosesis fabrikasyon modil pouvwa yo. Anplis de sa, substrats seramik fè byen anba fluctuations tanperati grav epi demontre pèfòmans serye tèmik monte bisiklèt, ak konte sik rive jiska 50,000.

Ekselan pèfòmans izolasyon

Substra seramik montre pèfòmans izolasyon ekselan epi yo apwopriye pou aplikasyon ki mande pou gwo fòs dyelèktrik. Yo gen yon konstan dyelèktrik ki ba ak bon -karakteristik frekans segondè, ki fè yo byen adapte pou sikui frekans segondè-.

Ekselan estabilite chimik

Substra seramik yo montre estabilite chimik eksepsyonèl epi yo ka kenbe pèfòmans siperyè nan anviwònman ki wo -tanperati oksidatif oswa korozivite. Yo pa fasil korode.

Estrikti

Estrikti debaz yon substrate seramik anjeneral konsiste de yon materyèl debaz seramik, yon kouch metal, ak yon kouch adezif. Espesyalman, yon substra seramik refere a yon tablo espesyalman trete nan ki FOIL kòb kwiv mete dirèkteman kole ak sifas yon alumina (Al₂O₃) oswa nitrure aliminyòm (AlN) substrate seramik nan tanperati ki wo. Substra konpoze ultra-mens sa a gen ekselan izolasyon elektrik, segondè konduktiviti tèmik, soudabilite siperyè, ak adezyon fò. Anplis, li ka grave nan divès kalite modèl tankou yon PCB konvansyonèl epi li ofri gwo kapasite aktyèl -pote.

Estrikti detaye nan diferan kalite substrats seramik

Gwo -Tanperati Ko-Seramik te tire (HTCC)

Pri pwodiksyon an nan sa a kalite substra se relativman wo, ak konduktiviti tèmik li yo jeneralman varye ant 20 a 200 W / (m · K), tou depann de konpozisyon an ak pite nan poud seramik la.

Ba -Tanperati Ko-Seramik te tire (LTCC)

Yo ajoute materyèl vè ki ba -pwen k ap fonn- nan poud alumina, sa ki pèmèt itilizasyon metal trè kondiktif tankou lò ak ajan kòm elektwòd ak materyèl fil elektrik.

Epè -Fim Enprime Seramik Substra (TPC)

Kalite substrate sa a fèt ak yon pwosesis enprime ekran-e li gen yon pwosedi fabrikasyon ki senp. Li apwopriye pou anbalaj aparèy elektwonik ak kondisyon ki ba pou presizyon sikwi, tankou modil elektwonik otomobil.

Dirèk Bonded Copper (DBC) Seramik Substrate

Anba kondisyon tanperati ki wo -, papye kòb kwiv mete ak substrate seramik la byen kole atravè yon pwosesis lyezon eutektik, sa ki lakòz gwo fòs lyezon ak ekselan konduktiviti tèmik. Li se lajman ki itilize pou dissipation chalè nan aparèy tankou izole tranzistò bipolè pòtay (IGBTs) ak konpozan lazè.

Aktif Metal Brazing (AMB) Seramik Substrate

Kalite substrate sa a reyalize lyezon ant substrate seramik la ak papye kòb kwiv mete atravè soude ki gen eleman latè aktif oswa ra -. Li ofri gwo fòs lyezon ak fyab epi li apwopriye pou aplikasyon anbalaj gwo -dansite.

Aplikasyon

1. Nan jaden elektwonik, substrats seramik yo se transpòtè ideyal pou konpozan elektwonik tankou sikwi entegre, modil pouvwa, ak aparèy RF. Avèk gwo fòs, segondè dite, segondè rezistans mete, ekselan pèfòmans izolasyon, ak estabilite tèmik, yo asire operasyon ki estab ak transmisyon siyal efikas nan ekipman elektwonik. Aplikasyon substrats seramik yo enkli, men se pa sa sèlman, modil semi-conducteurs gwo -pouvwa, sikwi kontwòl pouvwa, ekipman pou elektrisite segondè-pou chanje frekans, relè eta solid-, elektwonik otomobil, konpozan elektwonik ayewospasyal ak militè, ak asanble panèl solè.
2. Nan domèn kominikasyon, substrats seramik yo ka fabrike nan konpozan tankou filtè mikwo ond, antèn, divize pouvwa, kouple, ak izolatè. Konpozan sa yo jwe yon wòl enpòtan nan sistèm kominikasyon, yo ofri ekselan fòs mekanik ak konduktiviti tèmik.
3. Nan jaden an optik, substrats seramik yo itilize kòm baz pou lazè, bay bon konduktiviti tèmik ak fòs mekanik. Yo itilize yo tou pou fabrike divès konpozan pou kominikasyon fib -optik, tankou multiplexeur divizyon longèdonn ak kontwolè polarizasyon.
4. Nan domèn medikal, substrats seramik yo lajman itilize nan aparèy medikal segondè -, ki gen ladan detèktè byomedikal ak ògàn atifisyèl, akòz ekselan byokonpatibilite yo ak estabilite chimik. Pou egzanp, substrats seramik yo ka itilize pou fabrike jwenti atifisyèl ak materyèl restorasyon dantè, ofri bon byokonpatibilite ak pwopriyete ayestetik.
5. Nan jaden ayewospasyal la, substrats seramik yo itilize pou fabrike konpozan motè, kouch baryè tèmik, pawa chanm konbisyon, ak pati veso espasyèl. Avèk gwo fòs, rezistans radyasyon, ak segondè-rezistans tanperati, yo bay sipò serye nan anviwònman ekstrèm, asire operasyon sistèm ki estab nan gwo-vitès, segondè-tanperati, ak gwo-kondisyon radyasyon.
6. Pwodwi substrate seramik konpayi nou an gen ladan PCB seramik multikouch ak 5G PCB antèn.

Pwodwi Customized

Pifò nan pwodwi nou yo Customized ki baze sou dosye orijinal Gerber yo bay kliyan nou yo.
Apre nou fin resevwa dosye Gerber orijinal yo, nou konvèti yo nan dosye Gerber k ap travay pou itilize pwodiksyon an.
Pandan pwosesis konvèsyon sa a, nou ajiste sèten paramèt-tankou dyamèt twou, lajè tras, ak espas tras-pou optimize fabrikasyon epi asire pwodiksyon lis.

Pake ak garanti

Tout pwodwi nou yo se vakyòm-pake ak desiccant pou asire pi bon pwoteksyon pandan depo ak transpò.
Lavi etajè nan tablo sikwi ki pake vakyòm-yo varye selon pwosesis tretman sifas la, anjeneral, ant 3 a 12 mwa. Detay yo jan sa a:

Lavi etajè pou Pwosesis Tretman Sifas diferan

ENIG (Lò Immersion Nikèl San Elèktrik)

Ka estoke pou jiska 12 mwa anba anbalaj vakyòm ak pwoteksyon desiccant.

Plon-gratis HASL (Nivelasyon soude lè cho)

Lè pa gen okenn ajisteman depo espesyal yo fè, lavi etajè a anjeneral apeprè 3 mwa.

OSP (Konsèvasyon soudabilite òganik)

Gen yon lavi etajè nan 3-6 mwa anba anbalaj vakyòm ak pwoteksyon desiccant. Sepandan, si yo estoke mal (egzanp, san desikan oswa ak sele vakyòm ensifizan), lavi etajè a ka diminye a anviwon 3 mwa.

Immersion Gold (Plaking Chimik Gold)

Lavi etajè ka rive nan 6-12 mwa, depi yo itilize anbalaj sele ak desiccant.

Avantaj konpayi an

1. Nou garanti yon repons nan 24 èdtan nan tout demann kliyan ak plent.
2. Faktori nou an ofri echantiyon pwodiksyon 1-jou pou tablo 2-kouch epi li bay sèvis fabrikasyon rapid pou ti ak mwayen lòd, asire kout tan ak livrezon alè.
3. Nou sipòte plizyè opsyon peman, tankou EUR, USD, Fwote, ak CNY, atravè PayPal, T/T, ak lòt metòd pratik.

Baj popilè: seramik baz pcb, Lachin seramik baz pcb manifaktirè, Swèd

Seramik baz PCB